英特尔EMIB-T封装方案问世：HBM4e飙上12Gb/s碾压CoWoS

在IEEE 2026电子元件与技术大会上，英特尔全面展示了下一代封装解决方案EMIB-T。这一创新方案在硅桥中引入硅通孔实现垂直互连，HBM4e接口速率飙升至12Gb/s，带宽密度碾压台积电CoWoS方案，引起业界广泛关注。

EMIB-T技术突破，垂直互连实现带宽飞跃

EMIB-T是英特尔EMIB封装技术的重大升级。传统EMIB通过硅桥实现芯片间的水平互连，而EMIB-T在此基础上引入了硅通孔（TSV）技术，实现了垂直方向的高密度互连。这一创新设计大幅提升了封装的带宽密度和信号传输效率，HBM4e接口速率达到12Gb/s。

性能碾压CoWoS，挑战台积电封装主导地位

EMIB-T的带宽密度远超台积电的CoWoS封装方案。CoWoS是当前AI芯片封装的主流方案，被英伟达H100/B200等产品采用。英特尔EMIB-T的推出，标志着封装领域的竞争进入新阶段，挑战台积电在高端封装领域的主导地位。

瞄准AI加速器市场，支撑2027年下一代产品

英特尔表示，EMIB-T将支持2027年下一代AI加速器的HBM4e集成需求。随着AI模型规模的不断扩大，对内存带宽的需求也在急剧增加。EMIB-T的高带宽特性，将为下一代AI加速器提供强大的性能支撑。

封装技术竞争加剧，AI芯片性能提升再添新动力

英特尔EMIB-T的发布，加剧了封装技术领域的竞争。台积电、AMD、三星等企业都在积极研发先进封装技术。封装技术的不断进步，将为AI芯片性能的持续提升提供新的动力，推动AI应用向更高水平发展。